氮化铝晶体生长炉

一、设备结构

二、设备概述

氮化铝晶体生长炉主要用于物理气相传输法（PVT）生长大尺寸、高质量AlN单晶。

三、设备优势

1、建立温场与AlN半导体晶体生长动力学的精准关系，揭示晶体结晶和动力学过程，解决扩径难、易开裂等生长难点科学问题。

2、优化坩埚和温场梯度结构的设计，实施动态检测晶体生长过程和温场边界条件，自主搭建国际上首个大尺寸AlN单晶生长炉。

3、解析AlN晶体缺陷结构和性能参数之间的关系，建立高质量、低缺陷AlN半导体单晶的退火工艺，有力解决AlN晶体缺陷富集的难点问题。

四、设备参数

注：可根据客户的要求，进行定制服务。