碳化硅单晶生长炉
一、生产对象：
生产六英寸碳化硅晶体
二、炉体结构：
石英管炉，石英管内径400mm以上；抽空管道材质304；机架及门板材质为铝合金等满足结构强度的材料；线圈内径≥420mm; 表面带绝缘涂层处理
三、底座结构：
需装载架承载热区，并可由合适的装载卸载设备从底部进行装载或卸载。
四、设备参数：
| 加热系统： | 6英寸线圈 | 进气阀（控制）： | 2个；工艺氩气流量1100Sccm；氮气流量55Sccm； |
| 工作温度： | 满足2650°C以内工艺要求；有效加热功率≥40KW | 中频感应电源： |
额定功率≥40KW，电流精度0.05%，谐振频率（kHz）10-12KHz单高温计配制，上测温，仅用于温度监视。测量范围包括1000℃~3000℃，测温精度 ±0.5%F.S.，测温重复精度±2℃；测温仪采用FLUKE E1RH系列红外高温计通气 150sccm Ar 时工艺控压(P)的精度：1500Pa以下的控压精度：目标值±20Pa，1500Pa至10000Pa的控压精度：目标值±50Pa |
| 线圈和坩埚相对位置移动系统： | 可以实现 慢速0.02～10㎜/h，快速≥100㎜/min的相对位置移动动作，升降系统需带上下限位。使用机械泵加分子泵实现真空。 | 控制系统： | 全自动控制系统，实现整个长晶过程的全自动控制；采用功率控制模式。 |
| 冷态或空炉时包括放气率的总漏率： | ≤5.0E-9mBar·L/s ；极限真空下，保压12h，压升≤5Pa。 | 控制系统数据和权限管理： | 可对长晶过程中的关键数据进行实时记录并存档，可追溯分析；直观液晶显示的人机交换界面，拥有用户登录及账户管理系统，为方便生产管理，可为不同的账户分配不同的权限。 |
| 工艺气体流量测量控制器（MFC）： | 2个或以上;流量计精度±0.25％F.S.(＜35% F.S.) ±1.0% S.P.(≥35% F.S.) | 装料量要求及结构承重： | 下炉盖及升降系统能承重48公斤或以上重量。 |
| 工艺气体流量控制系统： | Ar和N2可按工艺节点设定，进行全自动坡度调节。 | 出炉/进炉方向： | 下出料。 |
