科友半导体亮相2024 SiC半导体晶体生长技术研讨会！

        9月27日，由材能时代、成都炭材、烁科晶体联合主办的首届SiC半导体晶体生长技术研讨会圆满落下帷幕。此次研讨会的主题是SiC半导体晶体生长技术基础研发与创新发展，吸引了近三百人注册参会，与会人员围绕SiC半导体晶体生长技术，共同探讨交流，以期推动第三代宽禁带半导体行业的高水平、高效率发展。

  科友半导体受邀参加此次研讨会。公司研发技术总监张胜涛博士以《8英寸碳化硅衬底产业化进展》为题作报告分享，重点介绍了行业及市场发展趋势、8英寸碳化硅衬底制备的难点所在、科友半导体在8英寸碳化硅衬底产业化进程中突破的关键技术，特别是近期缺陷控制和品质提升方面的新进展，并就电阻炉对石墨材料应用、衬底成本控制等与现场多位专家学者交流互动。
  科友半导体致力于推动大尺寸SiC单晶衬底的国产化、产业化，从晶体装备研制、热场设计优化、工艺技术开发三个方面入手，形成科友半导体独家SiC长晶一站式解决方案，解决国内SiC衬底产业化设备、热场与工艺卡脖子关键问题。2024年9月份，科友半导体成功实现8英寸高品质碳化硅衬底的批量制备，通过优化电阻炉温场、引入缓冲层优化长晶工艺、优化原料区域温度分布，充分发挥电阻加热式PVT法碳化硅单晶稳定生长的优势。检测表明，8英寸碳化硅衬底产品总腐蚀坑密度控制在2000个cm-2左右，TSD与BPD位错缺陷密度得到有效降低，占同期产出衬底的比例在八成以上，彰显出电阻加热式长晶炉对推动设备和耗材国产替代、推动衬底成本持续降低方面的巨大潜力，标志着科友半导体8英寸碳化硅衬底产业化进入了新的阶段。

位错缺陷密度随晶体厚度提高不断下降

科友近期制备的低缺陷密度8英寸碳化硅衬底

科友半导体技术总监-张胜涛博士作题为《8英寸碳化硅衬底产业化进展》的报告